Návrh filmových kondenzátorov s vysokým špičkovým prúdom pre aplikácie výkonovej elektroniky IGBT

Stručný popis:

IGBT tlmič SMJ-P

1. Plastové puzdro, utesnené živicou;

2. Pocínované medené vložky, vodiče, jednoduchá inštalácia pre IGBT;

3. Odolnosť voči vysokému napätiu, nízkemu tgδ, nízkemu nárastu teploty;

4. nízke ESL a ESR;

5. Vysoký impulzný prúd.

Pošlite nám e-mail Stiahnuť ako PDF

Detaily produktu

Značky produktov

Technické údaje

Rozsah prevádzkových teplôt	Max. prevádzková teplota, horná, max.: +105 ℃ Teplota vyššej kategórie: +85 ℃ Teplota nižšej kategórie: -40 ℃
rozsah kapacity	0,1 μF～5,6 μF
Menovité napätie	700 V jednosmerného prúdu～3000 V jednosmerného prúdu
Kapacita toluénu	±5 % (J); ±10 % (K)
Odolné napätie	1,5 Un DC/10S
Faktor rozptylu	tgδ≤0,0005 C≤1μF f=10 kHz tgδ≤0,001 C≥1μF f=10 kHz
Izolačný odpor	C≤0,33 μF RS≥15000 MΩ (pri 20 ℃ 100 V DC 60 S) C＞0,33 μF RS*C ≥ 5000 S (pri 20 ℃ 100 V DC 60 S)
Odolať úderovému prúdu	pozri technický list
Spomaľovanie horenia	UL94V-0
Priemerná dĺžka života	100 000 h (Un; Θhotspot≤85 °C)
Referenčný štandard	IEC61071; GB/T17702;

Tabuľka špecifikácií

Napätie	Un 700 V DC, Urms 400 V AC; Us 1050 V
	Rozmer (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR pri 100 kHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms pri 40℃ pri 100 kHz (A)
0,47	42,5	24,5	27,5	12	25	500	235	8
0,68	42,5	24,5	27,5	10	25	480	326,4	10
1	42,5	24,5	27,5	8	24	450	450	12
1,5	42,5	33,5	35,5	7	25	430	645	5
2	42,5	33	35,5	6	24	420	840	15
2,5	42,5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42,5	33	45	5,5	22	380	1140	20
3	57,5	30	45	5	26	350	1050	22
3,5	42,5	33	45	5	23	350	1225	25
3,5	57,5	30	45	6	25	300	1050	22
4,7	57,5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57,5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57,5	38	54	3,5	33	230	1380	28
6,8	57,5	42,5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57,5	42,5	56	2,8	30	200	1600	33
Napätie	Un 1000 V DC, Urms 500 V AC; Us 1500 V
	Rozmer (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42,5	24,5	27,5	11	25	1000	470	10
0,68	42,5	24,5	27,5	8	25	800	544	12
1	42,5	33,5	35,5	6	24	800	800	15
1,5	42,5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42,5	33	45	5	22	700	1400	20
2,5	57,5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57,5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57,5	35	50	3,5	28	550	1815	25
3,5	57,5	38	54	3,5	28	500	1750	25
4	57,5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4,7	57,5	42,5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57,5	42,5	56	2,8	24	400	2240	32
Napätie	Un 1200 V DC, Urms 550 V AC; Us 1800 V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42,5	24,5	27,5	11	24	1200	564	10
0,68	42,5	33,5	35,5	7	23	1100	748	12
1	42,5	33,5	35,5	6	22	800	800	14
1,5	42,5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57,5	30	45	4	30	750	1500	20
2,5	57,5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57,5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57,5	38	54	4	27	550	1815	28
3,5	57,5	38	54	3,5	25	500	1750	28
4	57,5	42,5	56	3,5	25	450	1800	30
4,7	57,5	42,5	56	3.2	23	420	1974	32
Napätie	Un 1700 V DC, Urms 575 V AC; Us 2250 V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,33	42,5	24,5	27,5	12	25	1300	429	9
0,47	42,5	24,5	27,5	10	24	1300	611	10
0,68	42,5	33,5	35,5	8	23	1300	884	12
1	42,5	33	45	7	22	1200	1200	15
1,5	42,5	33	45	6	22	1200	1800	18
1,5	57,5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57,5	30	45	5	30	1100	2200	22
2,5	57,5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57,5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57,5	38	54	3,8	26	600	1980	28
3,5	57,5	42,5	56	3,5	25	500	1750	30
4	57,5	42,5	56	3.2	25	450	1800	32
Napätie	Un 2000 V DC, Urms 700 V AC; Us 3000 V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,22	42,5	24,5	27,5	15	25	1500	330	10
0,33	42,5	33,5	35,5	12	24	1500	495	12
0,47	42,5	33,5	35,5	11	23	1400	658	15
0,68	42,5	33	45	8	22	1200	816	18
0,68	57,5	30	45	7	30	1100	748	20
0,82	42,5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57,5	30	45	6	28	1100	1100	25
1,5	57,5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57,5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57,5	42,5	56	4	23	700	1540	32
Napätie	Un 3000 V DC, Urms 750 V AC; Us 4500 V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,15	42,5	33	45	18	28	2500	375	25
0,22	42,5	33	45	15	27	2200	484	28
0,22	57,5	35	50	15	25	2000	330	20
0,33	57,5	35	50	12	24	1800	495	20
0,47	57,5	38	54	11	23	1600	752	22
0,68	57,5	42,5	56	8	22	1500	1020	28